MOS管在使用過程中的建議

發(fā)布日期：2019-07-20 瀏覽：1391

我們在使用MOS管的過程中容易因為擊穿和靜電產(chǎn)生不良，下面是合芯半導(dǎo)體對客戶的一些建議。
1. 標(biāo)注的Id電流是MOS芯片的最大工作電流，實際使用時的最大工作電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設(shè)計產(chǎn)品時的最大使用電流設(shè)定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設(shè)計產(chǎn)品時的最大使用電流設(shè)定更重要的是要考慮MOS的內(nèi)阻參數(shù)。我們建議客戶使用60%以內(nèi)電流防止發(fā)熱損壞器件，比如，標(biāo)注是10A客戶在6A內(nèi)使用。
2. 建議在MOS的柵源（G/S）極之間并一個電阻（比如10K）和一個穩(wěn)壓二極管(5V-12V)起到保護柵源（G/S）極過壓的作用。
3.建議MOS管的盡量提高開啟電壓，這樣才能充分開啟導(dǎo)通MOS管，這個時候內(nèi)阻小，不容易發(fā)燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設(shè)定為4.5V以上，中高壓MOS的開啟電壓設(shè)定為10V以上.
4.MOS 電路操作注意事項：
靜電在很多地方都會產(chǎn)生，采取下面的預(yù)防措施，可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞：
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設(shè)備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須采用導(dǎo)體包裝或抗靜電材料包裝或運輸

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